BS170
| Osobně | zdarma |
| Pošta | od 98,- |
| DPD | od 119,- |
| Zásilkovna | od 98,- |
| Zásil. - SK | od 119,- |
| AT,PL,HU,DE | od 119,- |
Skladem do 5-8 dnů > 5 ks
BS170
N-FET 60V 0.3A 0.8W 5J Výrobce ONSEMI
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 60V
Proud drainu 500mA
Výkon 830mW
Pouzdro TO92
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 1.2Ω
Montáž THT
Parametry a specifikace
N-FET 60V 0.3A 0.8W 5J
Diskuze k produktu
Máte otázku? Zajímá vás konkrétní detail? Zeptejte se nás.
Položit dotazZeptat se
Přidat reakci
PopisTechnické parametryDiskuze
Tento internetový obchod ukládá soubory cookies, které pomáhají k jeho správnému fungování. Využíváním našich služeb s jejich používáním souhlasíte.