
BS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5J Výrobce ONSEMI Typ tranzistoru N-MOSFET Polarizace unipolární Napětí drain-source 60V Proud drainu 500mA Výkon...

IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0J18 Pouzdro: TO 220AB Typ tranzistoru: N-kanál Montáž: THT Max. pracovní napětí: 200 V Výkon: 150 W Max. proud: 18 ...

ME15N10 N-FET 100V 13,6A 34W 0J08 Velmi obtížně nahraditelný tranzistor, specifické vlastnosti, třída LOGIC FET, velmi nízké napětí Ugs. Často ...

STF10N65K3 / MDF10N65 / SVF10N65 / STF10N65K3 N-FET 650V 10A 35W 1J0 Originál tranzistor MDF10N65 již nelze dodat v odpovídající kvalitě a voln...

IRF540 MOSFET tranzistor N-FET 100V 28A 150W 0J077 Výkonový MOSFET IRF540PBF IRF540 (IRF540PBF) MOSFET tranzistor od výrobce Visahy - Jedná se ...

BS170 N-FET 60V 0.3A 0.8W 5J Výrobce ONSEMI Typ tranzistoru N-MOSFET Polarizace unipolární Napětí drain-source 60V Proud drainu 500mA Výkon...

IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0J18 Pouzdro: TO 220AB Typ tranzistoru: N-kanál Montáž: THT Max. pracovní napětí: 200 V Výkon: 150 W Max. proud: 18 ...

ME15N10 N-FET 100V 13,6A 34W 0J08 Velmi obtížně nahraditelný tranzistor, specifické vlastnosti, třída LOGIC FET, velmi nízké napětí Ugs. Často ...

STF10N65K3 / MDF10N65 / SVF10N65 / STF10N65K3 N-FET 650V 10A 35W 1J0 Originál tranzistor MDF10N65 již nelze dodat v odpovídající kvalitě a voln...

IRF540 MOSFET tranzistor N-FET 100V 28A 150W 0J077 Výkonový MOSFET IRF540PBF IRF540 (IRF540PBF) MOSFET tranzistor od výrobce Visahy - Jedná se ...

17N80C3 pouzdro TO220 N-FET 800V 17A 200W 0J29 Pozor na velikost pouzdra !

2N2222A plast NPN 40V 0.6A 0.625W 250MHz

2N7000-D26Z N-FET 60V 0.2A 0.4W 20ns Výrobce Onsemi Typ tranzistoru N-MOSFET Polarizace unipolárn...

2SB688 / KTD688 PNP 120V 8A 80W 10MHz

2SB772 / 2SD772S PNP 40V 3A 1W 80MHz Je přímo zaměnitelný s 2SB772PT. Tento tranzistor může mít ně...

2SC4981 NPN 100/80V 7A 25W 50MHz Velmi dobrý kompletně izolovaný tranzistor pro všeobecné použití.
2SD845 + 2SB755 pár pro NF výkonové zesilovače NPN + PNP 120V 12A 120W 20MHz Tranzistory dodáváme ...

2SK105 F / 2SK105F N-FET / J-FET 50V 20mA 0,25W Idss = 1 - 3mA Speciál s velmi nízkou vstupní kapa...

2SK105 H / 2SK105H N-FET / J-FET 50V 20mA 0,25W Idss = 2 - 6mA Speciál s velmi nízkou vstupní kapa...

2SK1119 Toshiba N-FET 1000V 4A 100W 2J6

2SK117BL N-FET 50V 10mA 0,3W Speciál pro nízkofrekvenční aplikace. Index BL, GR nebo Y je uveden p...

2SK117GR N-FET 50V 10mA 0,3W Speciál pro nízkofrekvenční aplikace. Index BL, GR nebo Y je uveden p...

2SK118 R / 2SK118R N-FET / J-FET 50V 10mA 0,1W Idss = 0,3 - 0,75mA Speciál pro nízkofrekvenční pou...

2SK1190 / IRFZ44 N-FET 60V 22A 35W 0J050

2SK1213 / 2SK2545 N-FET 600V 6A 35W 1J25

2SK1358 Toshiba N-FET 900V 9A 150W 1J4

2SK1460 Sanyo N-FET 900V 3.5A 40W 3J6

2SK1507 FUJI N-FET 600V 9A 50W 0J85 Pouzdro: TO-220FP Polarita: N-Kanal Montáž: THT ROHS: ANO Napě...

2SK161 Y / 2SK161Y N-FET / J-FET 18V 10mA 0,2W Idss = 2 - 6mA Speciál s velmi nízkou vstupní kapac...

2SK168 E / 2SK168E N-FET 30V 20mA 200mW Idss = 6 - 12mA Speciál pro oscilátory a VHF aplikace. Ori...

2SK168 F / 2SK168F N-FET 30V 20mA 200mW Idss = 10 - 20mA Speciál pro oscilátory a VHF aplikace. Or...
2SK170BL N-FET 40V 20mA 0.4W Speciál pro NF aplikace. Index BL, GR nebo V je uveden pod označením ...

2SK170GR N-FET 40V 20mA 0.4W Speciál pro NF aplikace. Index BL, GR nebo V je uveden pod označením,...

2SK1940 FUJI tranzistor N-FET 600V 12A 125W 0.75R Pouzdro TO-3P Označení 2SK1940-01, 2SK1940 Param...

2SK2038 TRANSISTOR TO-3P /2SK727 Typ pouzdra: TO-3P Polarita: n-channel Typ připojení: Průvlečná in...

2SK209 BL / 2SK209BL N-FET / J-FET 50V 14mA 0,15W Idss = 6 - 14mA Speciál pro nízkofrekvenční apli...

2SK212 Sanyo N-FET 20V 0.6mA Vhodný pro použití v FM vstupních částech.

2SK2231 Toshiba N-FET 60V 5A 20W 0J12

2SK2233 Toshiba N-FET 60V 45A 100W 0J022