IRF530
| Osobně | zdarma |
| Pošta | od 98,- |
| DPD | od 119,- |
| Zásilkovna | od 98,- |
| Zásil. - SK | od 119,- |
| AT,PL,HU,DE | od 119,- |
Skladem do 5-8 dnů > 5 ks
IRF530
N-FET 100V 17A 90W 0J09 IRF530NPBF
Výrobce Infineon (IRF)
Typ tranzistoru N-MOSFET
Polarizace unipolární
Napětí drain-source 100V
Proud drainu 17A
Výkon 79W
Pouzdro TO220AB
Napětí gate-source ±20V
Odpor v sepnutém stavu 90m?
Tepelný odpor přechod-pouzdro 1.9K/W
Montáž THT
Náboj hradla 24.7nC
Technologie HEXFET®
199741
Parametry a specifikace
N-FET 100V 17A 90W 0J09
Diskuze k produktu
Máte otázku? Zajímá vás konkrétní detail? Zeptejte se nás.
Položit dotazZeptat se
Přidat reakci
PopisTechnické parametryDiskuze
Tento internetový obchod ukládá soubory cookies, které pomáhají k jeho správnému fungování. Využíváním našich služeb s jejich používáním souhlasíte.