IRFBG30
| Osobně | zdarma |
| Pošta | od 98,- |
| DPD | od 119,- |
| Zásilkovna | od 98,- |
| Zásil. - SK | od 119,- |
| AT,PL,HU,DE | od 119,- |
Skladem do 5-8 dnů 4 ks
IRFBG30
Tranzistor: N-MOSFET; unipolární; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Výrobce: VISHAY
Typ tranzistoru: N-MOSFET
Polarizace: unipolární
Napětí drain-source: 1kV
Proud drainu: 2A
Ztrátový výkon: 125W
Pouzdro: TO220AB
Napětí gate-source: ±20V
Odpor v sepnutém stavu: 5Ω
Montáž: THT
Náboj hradla: 80nC
Parametry a specifikace
N-FET 1000V 3,1A 125W 5J0
Diskuze k produktu
Máte otázku? Zajímá vás konkrétní detail? Zeptejte se nás.
Položit dotazZeptat se
Přidat reakci
PopisTechnické parametryDiskuze
Tento internetový obchod ukládá soubory cookies, které pomáhají k jeho správnému fungování. Využíváním našich služeb s jejich používáním souhlasíte.